Z全的ODE電磁閥腐蝕知識詳解分析

    Z全的ODE電磁閥腐蝕知識詳解分析
    腐蝕是引起ODE電磁閥閥門損壞的重要因素，因此，在閥門使用中，防腐保護是考慮的問題。下面將跟大家一起了解閥門腐蝕的原因及解決措施。
    腐蝕是材料在各種環(huán)境的作用下發(fā)生的破壞和變質。金屬的腐蝕主要是化學腐蝕和點化學腐蝕引起的，非金屬材料的腐蝕一般是直接的化學和物理作用引起的破壞。
    一、ODE電磁閥閥門腐蝕的形態(tài)
    金屬ODE電磁閥閥門腐蝕有兩種形態(tài)，即均勻腐蝕和局部腐蝕。均勻腐蝕的速度可用年平均腐蝕率來評價。金屬材料，石墨、玻璃、陶瓷和混凝土，按腐蝕率大小分4個等：腐蝕速度小于0.05mm/a的為良;腐蝕速度在0.05~0.5mm/a的為良;腐蝕速度在0.5~1.5mm/a的尚可使用;腐蝕速度大于1.5mm/a的為不適用
    1、均勻腐蝕
    均勻腐蝕是在金屬的全部表面上進行。如不銹鋼、鋁、鈦等在氧化環(huán)境中產生的一層保護膜，膜下金屬狀態(tài)腐蝕均勻。還有一種現象，金屬表面腐蝕剝落，這種腐蝕Z危險的。
    2、局部腐蝕
    ODE電磁閥局部腐蝕發(fā)生在金屬的局部位置上，它的形態(tài)有孔蝕、縫隙腐蝕、晶間腐蝕、脫層腐蝕、應力腐蝕、疲勞腐蝕、選擇性腐蝕、磨損腐蝕、空泡腐蝕、摩振腐蝕、氫蝕等。
    點蝕通常發(fā)生在鈍化膜或保護膜的金屬上，是由于金屬表面存在缺陷，溶液中能破壞鈍化膜的活性離子，使鈍化膜局部破壞，伸入金屬內部，成為蝕孔，它是金屬破壞性和隱患Z大的腐蝕形態(tài)。
    縫隙腐蝕發(fā)生在焊、鉚、墊片或沉淀物下面等環(huán)境，它是孔蝕的一種特殊形態(tài)。防止方法是消除縫隙。
    ODE電磁閥腐蝕是從表面沿晶界深入金屬內部，使晶界呈網狀腐蝕。產生晶間腐蝕除晶界沉淀積雜質外，主要是熱處理和冷加工不當所致。奧氏體不銹鋼的焊接縫兩側容易產生貧鉻區(qū)而遭到腐蝕。奧氏體不銹鋼晶間腐蝕是常見的和Z危險的腐蝕形態(tài)。防止奧氏體不銹鋼閥件產生晶間腐蝕方法有：進行“固溶淬火”處理，即加熱1100℃左右水淬，選用含有鈦和鈮，而含碳量在0.03%以下的奧氏體不銹鋼，減少碳化鉻的產生。
    脫層腐蝕發(fā)生在層狀結構中，腐蝕垂直向內發(fā)展，后腐蝕表面平行的物質，在腐蝕物的脹力下，使表面呈層狀剝落。
    應力腐蝕發(fā)生在腐蝕和拉應力同時作用下產生的破裂。防止應力腐蝕的方法;通過熱處理消除或減少焊接，冷加工中產生的應力，改進不可理的閥門結構，避免應力集中，采用電化學保護、噴刷防蝕涂料。添加緩蝕劑、施加壓應力等措施。
    腐蝕疲勞發(fā)生在交變應力腐蝕的共同作用的部位，使金屬破裂。可進行熱處理消除或減少應力，表面噴丸處理以及電鍍鋅、鉻、鎳等，但要注意鍍層不可有拉應力和氫擴散現象。
    選擇性腐蝕發(fā)生在不同成分和雜質的材料中，在一定環(huán)境中，有一部分元素被腐蝕浸出，剩下未腐蝕的元素呈海綿狀。常見有黃銅脫鋅、銅合金脫鋁、鑄鐵石墨化等。
    磨損腐蝕是流體對金屬磨損和腐蝕交替作用所產生的一種腐蝕形態(tài)，是閥門常見的一種腐蝕，這種腐蝕以發(fā)生在密封面為多。防止方法：選用耐腐蝕、耐磨損的材料，改進結構設計，采用陰極保護等。
    空泡腐蝕又稱空蝕和氣蝕，是磨損腐蝕的一種特殊形態(tài)。它是流體中產生的氣泡，在破滅時產生的沖擊波，壓力可達400個大氣壓，使金屬保護膜破壞，甚撕裂金屬粒子。然后再腐蝕成膜，這種過程不斷反復，使金屬腐蝕。防止空泡腐蝕的方法，可選用耐空泡腐蝕材料，光潔度的加工面，彈性保護層和陰極保護等。
    摩振腐蝕是相互接觸的兩部件同時承受載荷，接觸面由于振動和滑動引起的破壞。摩振腐蝕發(fā)生在螺栓連接處，閥桿與關閉件連接處、滾珠軸承與軸之間等部位上。可以采用涂潤滑油脂，減少摩擦，表面磷化，選用硬質合金，以及用噴瓦處理或冷加工提表面硬度方法防護。
    腐蝕是化學反映中產生的氫原子擴散到金屬內部引起的破壞，其形態(tài)有氫鼓泡、氫脆和氫蝕。